休息痛，是病变的中期表现，当病变发展，下肢缺血加重，不行走也发生疼痛，称为 静息痛 。这种疼痛大多局限在趾或足远端，夜间尤甚，卧位时疼痛加剧，下肢垂下可有缓解，夜间静息痛或休息痛。因睡眠时心输出量最少，下肢灌注注血量也减少，故疼痛常在夜间加重。
...时血压白天活动时低，所以在闭塞性疾患病例中，通过此部分阻塞血管中的血流更为减低，使已处于慢性缺氧状态下的周围神经易于激起 神经症 状，故发生静息性疼痛。 缺血性神经炎具有一些典型的神经刺激症状，有剧烈的刺痛，向肢体远端放射，感觉异常，蚁行感、烧灼感，不同程度的刺痛以及手指或足趾的麻木和厥冷感等。症状严重时会影响病人的睡眠。缺血性神经炎患者，除了具有动脉损害的...
动脉或静脉病变，都可以造成肢体 持续性疼痛 ，前者比后者剧烈，而且说明脉管炎的缺血加重，已接近失去代偿的程度。大部分静息疼痛与局部缺血性神经炎的产生有关，而局部缺血性神经炎又多发生于 闭塞性动脉硬化 患者，其次为 血栓闭塞性脉管炎 患者。另一种静息疼痛起于供应肢体的主枝动脉突然被血栓梗阻。造成组织的急性缺氧所致。
肢体 持续性疼痛 .
静息电位 （Resting Potential , RP ）是指 细胞 未受刺激时，存在于 细胞膜 内外两侧的外正内负的电位差。由于这一电位差存在于安静细胞膜的两侧，故亦称 跨膜静息电位 ，简称静息电位或 膜电位 。 形成机理 静息电位 产生的基本原因是离子的跨膜扩散，和钠- 钾泵的特点也有关系。细胞膜内K+浓度高于细胞外。安静状态下膜对K+通透性大， K+...
静息电位 （Resting Potential , RP ）是指 细胞 未受刺激时，存在于 细胞膜 内外两侧的外正内负的电位差。由于这一电位差存在于安静细胞膜的两侧，故亦称 跨膜静息电位 ，简称静息电位或 膜电位 。 形成机理 静息电位 产生的基本原因是离子的跨膜扩散，和钠- 钾泵的特点也有关系。细胞膜内K+浓度高于细胞外。安静状态下膜对K+通透性大， K+...
静息电位 （Resting Potential , RP ）是指 细胞 未受刺激时，存在于 细胞膜 内外两侧的外正内负的电位差。由于这一电位差存在于安静细胞膜的两侧，故亦称 跨膜静息电位 ，简称静息电位或 膜电位 。 形成机理 静息电位 产生的基本原因是离子的跨膜扩散，和钠- 钾泵的特点也有关系。细胞膜内K+浓度高于细胞外。安静状态下膜对K+通透性大， K+...
休息痛，是病变的中期表现，当病变发展，下肢缺血加重，不行走也发生疼痛，称为静息痛。
静息能量消耗 计算方法 营养需求 在正常人，热量和氮需求可根据年龄、性别、身高和体重计算。理想地说，热量需求应根据每个病人进行计算，通过计算和测定的静息能量消耗，并用身体活动系数和 应激 程度加以调整。对个体病人来说，间接测热法是REE较准确的测量方法。热量需求也可用Harris-Benedict公式方便地计算： 女性：REE（Kcal/d）=655+9.6...
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